亚德诺申请磁性多匝传感器专利，防止区域中的畴壁成核
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2026-08-31 13:25:25
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国家知识产权局信息显示，亚德诺半导体国际无限责任公司申请一项名为“磁性多匝传感器”的专利，公开号CN122652155A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本公开涉及磁性多匝传感器。提供了一种具有一定长度的磁阻膜的磁性多匝传感器，其中该磁阻膜包括铁磁材料的自由层。该铁磁材料的自由层相对于该自由层沿着磁阻膜的长度的其余部分的厚度具有至少一个厚度增加的区域。特别地，在需要增大的操作窗口的区域中，自由层设置有增加的厚度。例如，在闭环传感器中，磁阻膜的两个区段交叉（例如，以闭合环路）的点可能需要较高的磁性操作窗口以防止该区域中的畴壁成核。
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