某国产手机企业的新款手机芯片刷屏全网，因为跑分全球第一，超过苹果和高通这两家手机芯片企业，这是巨大的荣耀，然而细看其中的细节就会发现，这款手机芯片并无太大的实用意义，纯粹是为跑分而生。

这款手机芯片为十核心芯片，而且10颗核心均是高性能核心，舍弃了能效核心，通过让10颗核心全力开跑的方式实现了超强的性能，从而取得了跑分第一。

它的设计与联发科颇为类似，都是采购自ARM的公版核心，而全球手机芯片领先者的苹果和高通都已采用自研核心。

这种特点，就导致这颗芯片存在几大问题。首先就是它的单核性能是比不过苹果和高通的，这正是它刻意淡化的弱点，对于手机来说，单核性能比多核性能更重要。

高通早年也是采用自研核心的，但是联发科采用多核策略迅速迭代芯片，同时多核在当年营销相当有效，由此从骁龙835开始与联发科同样采用ARM的公版核心，但是由此也导致高通与联发科的芯片高度同质化。

另一方面则是高通的骁龙芯片在单核性能长期落后于苹果的A系处理器，尤其是苹果的M系处理器推出后，高通痛定思痛之后，于2021年收购了NUVIA公司，2024年推出的骁龙8 Elite重回自研核心，在单核性能逐渐缩短了与苹果的差距。

继续采用ARM公版核心的联发科却因为在单核性能方面的差距，逐渐在高端手机芯片市场难以与高通抗衡，中国手机企业和三星的高端手机都采用高通的高端芯片。

堆核心的另一大问题则是发热问题，联发科曾推出了十核架构，但是高性能核心数量过多就是导致功耗过高，为此不得限制单核性能，在单核性能方面与高通和苹果的差距进一步拉大，后来联发科就没有再推出十核架构，而以八核为主。

从这些历史教训就可以看出，采用ARM的公版核心很难做出差异化，提供高性能就注定功耗过高、发热严重；控制功耗就导致单核性能与高通和苹果的差距进一步拉大。

这次这款国产手机芯片全数采用ARM的公版高性能核心，其实同样面临同样的问题，那就是它的功耗很可能很高，据悉为了让这颗芯片跑起来，采用了许多降温技术，这些降温技术用在手机上根本不可行，手机的空间极为有限不可能搭载降温设备，还有就是成本会高得手机吃不消。

这款手机在实验室测试到的超高跑分，还与它采用了大容量的缓存、超大内存有关，这样的搭配同样是手机吃不消的，为了控制成本，高通和苹果都不敢拼命堆缓存，内存价格的暴涨更促使一些手机重新将内存降回8GB甚至4GB。

凡此种种都说明，这款手机芯片是纯纯为跑分而生，而且为了跑分比联发科做得还要极致，联发科的手机芯片需要卖给各家手机企业，必须控制功耗、控制成本，而这款国产手机芯片基本无法用于市面上的手机上，或是量产的手机芯片大幅降低主频、减少缓存等，如此实际量产的芯片无论单核性能还是多核性能都将大幅下降。