维安半导体申请具有载流子存储层的半导体器件专利，提高器件的耐压可靠性_资讯

维安半导体申请具有载流子存储层的半导体器件专利，提高器件的耐压可靠性

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2026-08-29 19:26:30

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国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“一种具有载流子存储层的半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122662220A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种具有载流子存储层的半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：半导体基板，包括元胞区及终端区；场限环区，形成于终端区的半导体基板中，包括场限环注入区以及场限环扩散区；载流子存储层，形成于元胞区的半导体基板中；多个沟槽，形成于元胞区的半导体基板中；其中，场限环扩散区的横向扩散终点与元胞区中最靠近终端区的沟槽底部相接触。有益效果：通过将场限环扩散区的横向扩散终点控制在元胞区最靠近终端区的沟槽底部，使该处的结曲率半径变大，在器件正向阻断状态下能够缓解电场集中现象，避免器件在终端与元胞交界处发生提前雪崩击穿，提高器件的耐压可靠性。

天眼查资料显示，上海维安半导体有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维安半导体有限公司参与招投标项目7次，专利信息294条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示投资沟槽器件载流子终端区存储于元导体专利存储层半导体元胞区

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