华虹半导体申请改善晶圆边缘键合效果专利,有效提升边缘有效芯片数量与产品生产良率
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2026-08-29 19:25:38
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国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“改善晶圆边缘键合效果的方法”的专利,公开号CN122662310A,申请日期为2026年6月。

专利摘要显示,本发明公开了一种改善BSI图像传感器晶圆边缘键合效果的方法,通过将等离子活化LF功率提升至30~40W强化晶圆边缘活化,在氧化层表面生成大量Si‑OH键,退火后形成稳定Si‑O‑Si键;同时在键合工序增加1~3S的Zone3保压步骤,排出界面杂质、促进键合波扩散,提升边缘晶圆范德华吸附效果。本发明将晶圆边缘未键合区域宽度由3mm降至1.2mm,有效提升边缘有效芯片数量与产品生产良率,适用于背照式图像传感器量产键合工艺。

天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2951次,专利信息2126条,此外企业还拥有行政许可119个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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