东芯半导体取得硬件自毁装置专利,可删除存储单元的数据
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2026-08-28 21:33:56
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国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司取得一项名为“硬件自毁装置”的专利,授权公告号CN224696346U,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本公开涉及一种硬件自毁装置,包括:壳体;加热层;绝缘层;芯片层;以及焊盘通孔,加热层、绝缘层、芯片层按照该顺序从上至下设置在壳体内,焊盘通孔贯穿壳体、加热层、绝缘层、芯片层,该硬件自毁装置还包括:存储单元,该存储单元设置在芯片层中,用于存储数据;加热单元,该加热单元设置在加热层中,并且在存储单元的正上方,用于对存储单元进行加热,以删除存储单元的数据;以及控制单元,该控制单元设置在芯片层中,用于对存储单元进行控制,并对加热单元的加热进行控制,若控制单元接收到自毁信号,则向加热单元发出控制短路信号,使得加热单元对存储单元进行加热。

天眼查资料显示,东芯半导体股份有限公司,成立于2014年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本44237.7391万人民币。通过天眼查大数据分析,东芯半导体股份有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息66条,此外企业还拥有行政许可16个。

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来源:市场资讯

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