重庆芯联微电子申请LDMOS器件及其制备方法专利，进一步提高器件的击穿电压_资讯

重庆芯联微电子申请LDMOS器件及其制备方法专利，进一步提高器件的击穿电压

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2026-08-28 16:52:47

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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN122662224A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，通过在侧墙工艺中增加一道光罩，保留第一场板的上方的部分侧墙材料以形成第二场板，并于第二场板上形成第三场板，第一场板、第二场板及第三场板形成阶梯场板，由此形成三层不同厚度的场板结构。进一步的，在第一场板及第二场板的表面形成第一接触孔，阶梯场板通过第一接触孔与源极电性连接，构成第一复合场板；同时在栅极的表面形成第二接触孔，使栅极下方的第一场板通过第二接触孔电性连接，构成第二复合场板。本发明能够有效简化制备工艺流程、拓宽工艺适配窗口，提高器件良率，同时充分发挥阶梯场板的结构优势，进一步提高器件的击穿电压，改善其电学性能。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目994次，专利信息397条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示栅极投资器件板结构重庆阶梯微电子专利复合场板阶梯场板场板

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