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创飞芯源申请降低功率器件衬底电阻方法专利，显著提升器件的导通性能

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2026-08-28 16:20:06

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国家知识产权局信息显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“一种降低功率器件衬底电阻的方法及功率器件”的专利，公开号CN122662229A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种降低功率器件衬底电阻的方法及功率MOSFET器件。该方法包括：在衬底上生长外延层；刻蚀形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成栅极氧化层和填充栅极多晶硅；表面离子注入形成P型体区和源区；淀积氧化层并刻蚀源极接触孔；刻蚀深沟槽至衬底底部；淀积金属层填充所述源极接触孔和所述深沟槽；图形化刻蚀形成源极金属与所述深沟槽金属隔离。通过在衬底中形成深沟槽并填充导电金属材料，利用金属材料极低的电阻率特性，为垂直流动的电流提供低电阻通路，从而降低衬底电阻，显著提升器件的导通性能。该方法与现有CMOS工艺兼容，可广泛应用于功率MOSFET器件的制造。

天眼查资料显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2247.191万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市创飞芯源半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息10条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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