盛奕半导体申请半导体加工用湿法刻蚀设备专利，提高了刻蚀的均匀性和工艺良率_资讯

盛奕半导体申请半导体加工用湿法刻蚀设备专利，提高了刻蚀的均匀性和工艺良率

创始人

2026-08-28 15:53:27

0次

国家知识产权局信息显示，盛奕半导体科技（无锡）有限公司申请一项名为“一种半导体加工用湿法刻蚀设备”的专利，公开号CN122662615A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体加工用湿法刻蚀设备，属于半导体刻蚀技术领域，包括总箱体和用于对待刻蚀的半导体晶片进行刻蚀的刻蚀机构，总箱体内设置有用于对半导体晶片进行流转的流转机构和用于对刻蚀中的半导体晶片进行防护的防护机构。本发明通过设置带有多个放置腔的放置筒，将相邻半导体晶片有效分隔开，避免了晶片之间的紧密接触或堆叠，配合放置筒和开关盖上开设的多个槽孔，当放置筒浸入刻蚀池或清洗池时，酸液或清水能够迅速、均匀地流经每一片晶片的表面，消除了传统篮具中因晶片间距过小或液体流动受阻而导致的刻蚀速率差异，确保了同一批次内所有晶片以及单片晶片各区域均能获得一致的刻蚀效果，从而提高了刻蚀的均匀性和工艺良率。

天眼查资料显示，盛奕半导体科技（无锡）有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本548.6554万人民币。通过天眼查大数据分析，盛奕半导体科技（无锡）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目8次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资盛奕半导体提高了良率设备专利加工工艺良率湿法均匀性晶片

上一篇：半导体设备迎多点催化，半导体设备ETF易方达（159558）盘中净申购超2亿份

下一篇：铭镓半导体取得提高磷化铟单晶成晶率专利

盛奕半导体申请半导体加工用湿法刻蚀设备专利，提高了刻蚀的均匀性和工艺良率

相关内容

热门资讯