江苏第三代半导体研究院申请氮化物芯片及其制备方法专利，提高发光效果_资讯

江苏第三代半导体研究院申请氮化物芯片及其制备方法专利，提高发光效果

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2026-08-28 15:52:33

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“氮化物芯片及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN122662355A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请提供一种氮化物芯片及其制备方法、半导体器件，涉及集成电路领域。氮化物芯片包括：衬底；第一氮化物缓冲层，位于衬底上；多个复合纳米微结构，间隔分布于第一氮化物缓冲层上，复合纳米微结构包括纳米柱结构和位于纳米柱结构上的顶部纳米覆盖微结构；隔离结构，位于第一氮化物缓冲层顶部的侧边缘，隔离结构形成朝向外部的空隙；第二氮化物缓冲层，覆盖复合纳米微结构、第一氮化物缓冲层和隔离结构；位于第二氮化物缓冲层上，且沿第一方向依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。利用复合纳米微结构能够提高发光层的辐射复合，提高发光效果；同时，具有空隙的隔离结构能够降低缺陷吸光，进一步提高发光效果。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息438条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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