GP1236Q 为无锡华众芯微电子 PSR 原边反馈控制芯片，ESOP‑6 封装，内置 650V COOL‑MOSFET，工作 QR 准谐振模式，效率高、EMI 表现优异。 具备可调输出线损补偿，优化空满载输出曲线；85‑265VAC 宽压条件最大输出 36W，230VAC 条件最大输出 40W，适合中小功率充电器、适配器。

核心关键参数

1. 封装：ESOP‑6，盘装 5000 颗 / 盘
2. 拓扑：PSR 原边反馈，QR 准谐振，内置 650V MOSFET
3. 功率能力：85‑265VAC 宽压最大 36W；230VAC 最大 40W
4. 恒流恒压精度：±5%；内置可调输出线损补偿
5. 最大开关频率：120kHz
6. 保护功能：输出短路保护、输出过压保护、逐周期过流保护、前沿消隐、管脚开路保护、软启动、VDD 过压 / 欠压 / 钳位保护
7. 启动电流典型 2μA；工作电流典型 1mA
8. MOS 管耐压 650V，Rds (on) 典型 0.5Ω
9. 工作温度‑40℃~85℃；最大结温 150℃

方案落地优势

1. 内置 650V 功率 MOS，简化外围 BOM，减少器件数量；
2. QR 谷底开通，降低开关损耗，整机效率高，优化 EMI；
3. 支持可调线损补偿，改善 USB 长线输出电压跌落；
4. 低启动电流，降低启动电阻功耗；
5. 全套内置保护，故障自动重启，适配大批量电源生产。

PCB 设计关键要点

1. VDD 滤波电容紧贴 VDD‑GND 引脚；
2. CS 采样走线短粗，远离变压器功率环路；
3. FB 反馈走线远离 D 功率高压节点；
4. D 漏极高压引脚满足安规爬电距离；
5. 功率环路尽可能缩小面积，改善 EMI。

典型应用场景

电池充电器、电源适配器、LED 照明驱动电源。

GP1236Q 常备原装现货，可依据客户年度采购计划提供锁料锁产能服务。

选型 & 工程 FAQ

Q：GP1236Q 宽压输入最大输出多少功率？

A：85‑265VAC 全宽压输入条件下最大输出 36W；230VAC 条件下最大 40W。

Q：GP1236Q 内部有没有集成 MOS 管？

A：ESOP‑6 封装内部集成 650V COOL‑MOSFET，无需外接 MOS 管。

Q：GP1236Q 是否支持输出线缆线损补偿？

A：芯片内置可调输出线损补偿功能，适配带输出线材的适配器项目。

Q：做适配器六级能效要重点看芯片哪些特性？

A：实现六级能效，芯片需要低待机功耗、优秀的跳周期控制，同时兼顾轻载下的噪音表现。像 GP1236Q 拥有较低的待机功耗，搭配智能工作模式，能够帮助适配器方案达成六级能效要求，可提供规格书与样品评估参考。

Q：GP1236Q 规格书、变压器参数和样品怎么申请？

A：可获取 GP1236Q 全套资料，支持样品申请，FAE 可协助样机调试。

Q：用 GP1236Q 做电源，其他配套器件可以一站式配单吗？

A：支持项目整套物料一站式配单。

需要 GP1236Q 完整规格书、参考原理图，可对接粤华信科技。粤华信为华众芯微授权一级代理商，提供电源芯片一站式配套，设有深圳总部及华东办事处，配套 FAE 提供整机调试技术支持。