韦尔半导体取得快恢复二极管相关专利，多晶硅结构可优化快恢复二极管核心性能
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2026-08-22 10:22:34
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来源：新浪证券-红岸工作室
8月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管”的专利，授权公告号CN118692910B，授权公告日为2026年8月21日。申请公布号为CN118692910A，申请号为CN202310301786.X，申请公布日期为2026年8月21日，申请日期为2023年3月24日，发明人陈兆萍、乐双申、何增谊，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师张海燕，分类号H10D8/01、H10D8/00、H10D62/83。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管，本发明实施例在有源区采用多晶硅结构既能降低局部区域P型的浓度来降低发射效率从而控制少子寿命，又能够增大PN结的面积，在提高快恢复二极管的快恢复能力的同时又能得到较低的正向压降。
天眼查数据显示，上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本126097.0295万人民币，实缴资本126107.4075万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了49家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息63条，专利信息225条，拥有行政许可19个。
上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种低开启电压瞬态电压抑制器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610465010.5 | 2026-04-09 | CN122534956A | 2026-08-07 | 许成宗、刘岚莘、李登辉、潘子月 |
| 2 | 一种新型分裂栅功率MOSFET器件的制备方法及器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610230022.X | 2026-02-26 | CN122054628A | 2026-05-15 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 3 | 一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610189569.X | 2026-02-10 | CN122028508A | 2026-05-12 | 李登辉、许成宗、刘岚莘 |
| 4 | 一种双向超低容纵向NPN特性瞬态电压抑制器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610161837.7 | 2026-02-04 | CN122094185A | 2026-05-26 | 李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星 |
| 5 | 一种纵向低容高压单向TVS器件的制造方法及器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610097861.9 | 2026-01-24 | CN122094184A | 2026-05-26 | 刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗 |
| 6 | 一种可调斜率的电源自动化测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512037465.5 | 2025-12-31 | CN122043299A | 2026-05-15 | 张潇、刘飞扬 |
| 7 | 一种低电容瞬态抑制保护器件 | 发明专利 | 公布 | CN202511805721.4 | 2025-12-03 | CN121665687A | 2026-03-13 | 韩业星、许成宗 |
| 8 | 一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511157153.1 | 2025-08-19 | CN121013371A | 2025-11-25 | 曹培明、董建新 |
| 9 | 一种高边开关芯片的电压检测及控制电路 | 实用新型 | 授权 | CN202521772012.6 | 2025-08-19 | CN224502912U | 2026-07-14 | 刘选涛、洪诚、李学文 |
| 10 | 一种用于优化SOA的屏蔽栅功率MOSFET版图及MOSFET | 实用新型 | 授权 | CN202521738033.6 | 2025-08-14 | CN224419175U | 2026-06-26 | 薛华瑞、董建新、阮孟波、曹康妮 |
| 11 | 一种功率MOSFET宽SOA结构版图及MOSFET | 实用新型 | 授权 | CN202521738236.5 | 2025-08-14 | CN224419176U | 2026-06-26 | 曹培明、衷世雄 |
| 12 | 一种中高压屏蔽栅极功率器件版图及器件 | 实用新型 | 授权 | CN202521738001.6 | 2025-08-14 | CN224481972U | 2026-07-10 | 薛华瑞、阮孟波、董建新、诸舜杰 |
| 13 | 一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图 | 发明专利 | 公布 | CN202511112814.9 | 2025-08-09 | CN120957433A | 2025-11-14 | 方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞 |
| 14 | 一种晶圆级芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202521537374.7 | 2025-07-22 | CN224521672U | 2026-07-17 | 严晶玮、俞江彬、周万建 |
| 15 | 一种Panel级双MOS芯片叠封封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202521404508.8 | 2025-07-04 | CN224670190U | 2026-08-21 | 陈泽洋、俞江彬、周万建 |
| 16 | 一种瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510702590.0 | 2025-05-28 | CN120659394A | 2025-09-16 | 李登辉、许成宗、刘凯哲 |
| 17 | 一种芯片并联封装方法及并联封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510642104.0 | 2025-05-19 | CN120613271A | 2025-09-09 | 方镇东、门淑芳 |
| 18 | 一种MOS芯片并联封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202520986841.8 | 2025-05-19 | CN224343676U | 2026-06-09 | 王健伊、门淑芳 |
| 19 | 一种芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202520843790.3 | 2025-04-28 | CN224343773U | 2026-06-09 | 诸舜杰、董建新 |
| 20 | 一种单向低容瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510540948.4 | 2025-04-27 | CN120152387A | 2025-06-13 | 李登辉、许成宗、刘凯哲 |
| 21 | 一种功率MOSFET版图及MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510420186.4 | 2025-04-03 | CN120264855A | 2025-07-04 | 薛华瑞、董建新 |
| 22 | 一种功率MOSFET版图及MOSFET | 实用新型 | 授权 | CN202520632927.0 | 2025-04-03 | CN224007006U | 2026-03-17 | 薛华瑞、董建新 |
| 23 | 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510271360.3 | 2025-03-08 | CN120091616A | 2025-06-03 | 薛华瑞、阮孟波 |
| 24 | 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET | 实用新型 | 授权 | CN202520406177.5 | 2025-03-08 | CN224007000U | 2026-03-17 | 薛华瑞、阮孟波 |
| 25 | 一种IGBT制备方法及IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510261571.9 | 2025-03-06 | CN120111910A | 2025-06-06 | 张峰、董建新 |
| 26 | 一种浮空注入型功率MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520332356.9 | 2025-02-27 | CN224006999U | 2026-03-17 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 27 | 一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510205431.X | 2025-02-24 | CN120129297A | 2025-06-10 | 薛华瑞、董建新 |
| 28 | 一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520197353.9 | 2025-02-08 | CN224006998U | 2026-03-17 | 薛华瑞、董建新 |
| 29 | 一种MOSFET版图及MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520197895.6 | 2025-02-08 | CN224083958U | 2026-04-03 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 30 | 电流感测放大器 | 发明专利 | 公布 | CN202510123203.8 | 2025-01-26 | CN121814040A | 2026-04-07 | 木村宏之 |
| 31 | 电流感测放大器 | 发明专利 | 公布 | CN202510123387.8 | 2025-01-26 | CN121814041A | 2026-04-07 | 木村宏之 |
| 32 | 一种MOSFET版图及MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520153818.0 | 2025-01-22 | CN224006997U | 2026-03-17 | 曹培明、衷世雄、董建新 |
| 33 | 一种共漏极双MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423222814.8 | 2024-12-25 | CN223772423U | 2026-01-06 | 诸舜杰、董建新 |
| 34 | 共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件 | 发明专利 | 授权 | CN202411921564.9 | 2024-12-25 | CN119815857B | 2026-01-06 | 诸舜杰、董建新 |
| 35 | 一种半导体封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202422815330.8 | 2024-11-18 | CN223513965U | 2025-11-04 | 吴旸、俞江彬、周万建、姚力 |
| 36 | 一种芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202422467982.7 | 2024-10-11 | CN223308991U | 2025-09-05 | 陈泽洋、俞江彬、周万建 |
| 37 | 一种IGBT制备方法及IGBT器件 | 发明专利 | 公布 | CN202411155855.1 | 2024-08-22 | CN118841323A | 2024-10-25 | 张峰、诸舜杰 |
| 38 | 电压调节器 | 发明专利 | 公布 | CN202411126827.7 | 2024-08-16 | CN121028940A | 2025-11-28 | 石田学 |
| 39 | 半导体集成电路 | 发明专利 | 公布 | CN202411126626.7 | 2024-08-16 | CN121055790A | 2025-12-02 | 相浦正巳 |
| 40 | 输出电路 | 发明专利 | 授权 | CN202411126829.6 | 2024-08-16 | CN121012487B | 2026-08-07 | 石田学 |
| 41 | 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图 | 实用新型 | 授权 | CN202421990059.5 | 2024-08-15 | CN223108363U | 2025-07-15 | 薛华瑞、董建新 |
| 42 | 负载驱动电路 | 发明专利 | 公布 | CN202411091349.0 | 2024-08-09 | CN121012328A | 2025-11-25 | 木村宏之 |
| 43 | 桥接电路 | 发明专利 | 公布 | CN202411091133.4 | 2024-08-09 | CN121012492A | 2025-11-25 | 相浦正巳 |
| 44 | 一种带保险丝芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202421896262.6 | 2024-08-06 | CN223092890U | 2025-07-11 | 李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙 |
| 45 | 一种高保持电流瞬态电压抑制器件 | 实用新型 | 授权 | CN202421650230.8 | 2024-07-11 | CN223110415U | 2025-07-15 | 李登辉、许成宗 |
| 46 | 一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410803538.X | 2024-06-20 | CN121218661A | 2025-12-26 | 付霄荧、衷世雄、钟添宾 |
| 47 | 一种MOSFET版图及MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202421403433.7 | 2024-06-18 | CN222776520U | 2025-04-18 | 党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪 |
| 48 | 一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410787966.8 | 2024-06-18 | CN121174540A | 2025-12-19 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 49 | 一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410717885.0 | 2024-06-04 | CN118610258A | 2024-09-06 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 50 | 一种功率器件的制备方法及功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410710543.6 | 2024-06-03 | CN118486596A | 2024-08-13 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
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