长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提高存储系统的集成密度和性能_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提高存储系统的集成密度和性能

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2026-08-21 22:31:10

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、以及存储系统”的专利，公开号CN122622248A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统，其中，半导体结构包括堆叠结构、第一绝缘层、沟道结构和隔离结构，第一绝缘层位于堆叠结构在第一方向的一侧，沟道结构沿第一方向贯穿堆叠结构和第一绝缘层；隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构和第一绝缘层；其中，第一绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，第二绝缘部位于第一绝缘部在第一方向背离堆叠结构的一侧。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1474次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6220条，此外企业还拥有行政许可1019个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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