拉诺沃斯申请具有折射率修改区域的大倾角光电二极管专利，将入射在其上的相应光朝向输入小面反射_资讯

拉诺沃斯申请具有折射率修改区域的大倾角光电二极管专利，将入射在其上的相应光朝向输入小面反射

创始人

2026-08-21 19:16:55

0次

国家知识产权局信息显示，拉诺沃斯公司申请一项名为“具有折射率修改区域的大倾角光电二极管”的专利，公开号CN122622410A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，一种波导光电二极管包括：主波导；吸收波导，吸收波导与主波导集成在一起；沿着吸收波导的第一侧的n型掺杂半导体区域；沿着吸收波导的第二侧的p型掺杂半导体区域，第二侧与第一侧相对；以及位于吸收波导处的输入小面，输入小面与吸收波导的光轴形成锐角，并且输入小面的内部朝向p型掺杂半导体区域或n型掺杂半导体区域倾斜，使得照射在输入小面上的光的至少一部分朝向p型掺杂半导体区域或n型掺杂半导体区域折射。波导光电二极管进一步包括折射率修改区域，折射率修改区域邻近于输入小面定位，折射率修改区域包括相对于主波导具有改变的折射率的区域，折射率修改区域被配置为将入射在其上的相应光朝向输入小面反射。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示市场投资折射率导体倾角专利二极管区域拉诺沃斯半导体波导小面

上一篇：平头哥第二代AI芯片今年下半年将开启流片

下一篇：AI终端创新推动消费电子产业链景气上行，资金连续布局消费电子ETF易方达（562950）

拉诺沃斯申请具有折射率修改区域的大倾角光电二极管专利，将入射在其上的相应光朝向输入小面反射

相关内容

热门资讯