晶合集成申请消除金属边界效应的半导体结构专利，提高半导体结构良率_资讯

晶合集成申请消除金属边界效应的半导体结构专利，提高半导体结构良率

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2026-08-20 12:24:56

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造工艺”的专利，公开号CN122602483A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制造工艺，其中制造工艺包括以下步骤：在形成了有源区的半导体衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层和硬掩模层；在硬掩模层之上涂覆光刻胶，利用预设的X方向光罩进行曝光、显影，在光刻胶上形成栅极硬掩模层切割图案，其中包括额外增加的用于形成晶体管栅极切割槽的图案，其位于N型与P型晶体管共用栅极之间受金属栅极MBE影响的交界区域，且仅对应MBE隔离插塞区域的窗口的开口宽度小于光罩及光刻胶二者搭配下能正常显影开口最小值的一半，之后刻蚀、填充，形成消除MBE影响的插塞结构。本发明可以消除因N/P功函数交叉扩散而产生金属边界效应MBE，提高半导体结构良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目648次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1779条，此外企业还拥有行政许可35个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极边界投资掩模半导体晶合结构专利金属有源区光罩模层

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