华虹半导体申请改善小尺寸图像传感器像素隔离方法专利，有效降低电荷串扰、暗电流及白像素_资讯

华虹半导体申请改善小尺寸图像传感器像素隔离方法专利，有效降低电荷串扰、暗电流及白像素

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2026-08-20 12:25:25

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善小尺寸图像传感器像素隔离的方法”的专利，公开号CN122602612A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善小尺寸图像传感器像素隔离的方法。该方法包括：在形成浅沟槽隔离和光电二极管区域的晶圆表面，依次形成底层有机层、中间层和光刻胶层；通过光刻定义像素隔离区图案；以光刻胶层为掩膜刻蚀中间层和底层有机层，暴露出像素隔离区表面；以剩余底层有机层为阻挡层进行离子注入掺杂；最后去除掩膜层并激活掺杂离子。本发明利用三层掩膜工艺替代传统厚胶工艺，解决了小尺寸像素下厚胶光刻形貌差、关键尺寸控制难的问题。底层有机层提供了优异的刻蚀形貌和离子阻挡能力，实现了更深、更精确的电学隔离，有效降低了电荷串扰、暗电流及白像素，显著提升了图像传感器的整体性能。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2107条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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