武汉高芯科技申请可抑制表面漏电流的红外探测器钝化方法专利，极大降低红外焦平面阵列设计和制造难度_资讯

武汉高芯科技申请可抑制表面漏电流的红外探测器钝化方法专利，极大降低红外焦平面阵列设计和制造难度

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2026-08-18 11:51:57

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国家知识产权局信息显示，武汉高芯科技有限公司申请一项名为“可抑制表面漏电流的红外探测器钝化方法及红外探测器”的专利，公开号CN122602656A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供了一种可抑制表面漏电流的红外探测器钝化方法及红外探测器，该红外探测器钝化方法包括如下过程：红外探测器的外延层表面形成介质钝化层时，在介质钝化层靠近外延层表面一侧引入等效电荷，等效电荷的极性与外延层表面形成的非平带载流子层电荷极性相同，利用介质钝化层的等效电荷与非平带载流子层电荷的库伦静电力调控外延层的表面能带，使表面能带处于平带状态，从而抑制表面漏电流。该发明通过设计使介质钝化层含有电荷，通过库仑静电力实现表面能带状态调控，无需金属栅极，不需要施加额外的电压，即可达到与金属栅极调控同等平带效果，避免金属栅极在探测器阵列和读出电路设计中引入的问题，极大降低红外焦平面阵列设计和制造难度。

天眼查资料显示，武汉高芯科技有限公司，成立于2013年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本33800万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉高芯科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目130次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息462条，此外企业还拥有行政许可23个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业阵列电流投资高芯红外表面探测器电荷专利红外探测器外延层

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