诺瓦尔德申请金属络合物及包含其的半导体层与有机电子器件专利，提升有机电子器件性能
创始人
2026-08-17 12:23:48
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国家知识产权局信息显示，诺瓦尔德股份有限公司申请一项名为“金属络合物、包含金属络合物的半导体层及有机电子器件”的专利，公开号CN122580293A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种式(I)的化合物以及包含含有式(I)的化合物的半导体层的有机电子器件。
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来源：市场资讯
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