积塔半导体申请三维存储器结构及其形成方法专利，降低了三维存储器结构的制造成本_资讯

积塔半导体申请三维存储器结构及其形成方法专利，降低了三维存储器结构的制造成本

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2026-08-15 19:48:39

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“三维存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN122579620A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及一种三维存储器结构及其形成方法。所述三维存储器结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、位于衬底上的底层介质层、贯穿底层介质层的多个第一接触结构、覆盖底层介质层和第一接触结构的中间介质层以及贯穿中间介质层且分别暴露多个第一接触结构的多个存储孔；形成分别位于多个存储孔内的多个存储结构，存储结构包括下电极层、存储层以及上电极层，至少两个存储结构中的上电极层电连接形成上电极互连结构，且多个上电极互连结构相互独立；形成位于基底上方且相互电性隔离的多个第一引出结构，且多个第一引出结构与多个上电极互连结构一一对应电连接。本发明缩减了工艺步骤，降低了三维存储器结构的制造成本。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2120次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1424条，此外企业还拥有行政许可206个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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