芯粤能半导体申请半导体器件结构及其制备方法专利，性能更优_资讯

芯粤能半导体申请半导体器件结构及其制备方法专利，性能更优

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2026-08-13 00:04:10

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国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122555197A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括衬底、第一导电类型的外延层、第二导电类型的阱区、第一导电类型的源区、第二导电类型柱结构、第一沟槽栅极结构和第二沟槽栅极结构；其中，第二导电类型柱结构包括填充介质层和第二导电类型的掺杂区，填充介质层位于外延层内；掺杂区环绕填充介质层的侧壁及靠近衬底的一侧与衬底及阱区均具有间距；第一沟槽栅极结构位于第二导电类型柱结构远离衬底的一侧，第一沟槽栅极结构包括第一沟槽栅极和第一栅介质层；第二沟槽栅极结构位于第一沟槽栅极结构的一侧，且与第一沟槽栅极结构具有间距；第二沟槽栅极结构包括第二沟槽栅极及第二栅介质层。本申请提供的半导体器件结构的性能更优。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可102个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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