豪威集成电路申请低开启电压瞬态电压抑制器件专利，显著降低击穿电压VBR_资讯

豪威集成电路申请低开启电压瞬态电压抑制器件专利，显著降低击穿电压VBR

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2026-08-10 03:55:01

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国家知识产权局信息显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司申请一项名为“一种低开启电压瞬态电压抑制器件”的专利，公开号CN122534956A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种低开启电压瞬态电压抑制器件，所述瞬态电压抑制器件包括穿通型SCR结构，SCR结构穿通前后，其击穿电压VBR会发生显著变化：穿通前为雪崩击穿主导，击穿电压VBR较高；穿通后为穿通击穿主导，击穿电压VBR明显降低并趋于饱和。通过穿通型SCR结构设计的瞬态电压抑制器件显著降低击穿电压VBR。

天眼查资料显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本126097.0295万人民币。通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了48家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息37条，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可18个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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