爱思开海力士申请存储器装置和制造存储器装置的方法专利，将选择线分离并接触选择插塞
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2026-08-06 05:59:48
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置和制造存储器装置的方法”的专利，公开号CN122513989A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请涉及存储器装置和制造存储器装置的方法。根据本公开的实施方式的存储器装置包括：单元插塞，所述单元插塞延伸穿过层叠件；选择插塞，所述选择插塞联接到所述单元插塞并且设置在所述层叠件上方；选择线，所述选择线围绕所述选择插塞并且设置在所述层叠件上方；以及隔离结构，所述隔离结构将所述选择线分离并接触所述选择插塞。
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来源：市场资讯
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