宏茂微电子申请通过3D打印实现芯片错开堆叠与互连的封装结构及方法专利，实现上下芯片和芯片之间的连接_资讯

宏茂微电子申请通过3D打印实现芯片错开堆叠与互连的封装结构及方法专利，实现上下芯片和芯片之间的连接

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2026-08-05 17:37:00

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国家知识产权局信息显示，宏茂微电子（上海）有限公司申请一项名为“通过3D打印实现芯片错开堆叠与互连的封装结构及方法”的专利，公开号CN122514291A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体封装技术领域，具体的说是一种通过3D打印实现芯片错开堆叠与互连的封装结构及方法。一种通过3D打印实现芯片错开堆叠与互连的封装结构，包括芯片，其特征在于：若干芯片单元从下至上依次垂直并相互错开堆叠在基板上，若干芯片单元通过3D打印材料对焊盘进行互连；所述的芯片单元包括晶圆、焊盘、缓冲保护层，晶圆的顶部连接焊盘，晶圆及焊盘的表面涂覆缓冲保护层；相邻俩芯片单元之间通过DAF薄膜粘接。同现有技术相比，提供一种通过3D打印实现芯片错开堆叠与互连的封装结构及方法，实现上下芯片和芯片之间的连接，芯片和芯片之间对齐互连并进行堆叠。

天眼查资料显示，宏茂微电子（上海）有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本246884.3599万人民币。通过天眼查大数据分析，宏茂微电子（上海）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息299条，此外企业还拥有行政许可80个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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