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长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其形成方法”

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2026-07-26 01:17:34

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其形成方法”，专利申请号为CN202610319848.3，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底、堆叠结构和保护结构；堆叠结构位于所述衬底的表面上，所述堆叠结构包括交替层叠的半导体层和牺牲层，所述堆叠结构包括第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向贯穿所述堆叠结构且延伸至所述衬底内；所述第一方向垂直于所述衬底的表面；保护结构位于所述衬底内，所述第一沟槽暴露所述保护结构的部分上表面，所述保护结构至少包括第一保护层，所述第一保护层包括P型掺杂元素，所述第一保护层的刻蚀速率小于所述衬底的刻蚀速率。该半导体结构通过保护结构对衬底进行保护，可提高衬底的性能。

今年以来长鑫科技新获得专利授权10个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息407条，专利信息706条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

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