超玮微电子取得驱动芯片半导体结构专利，能够避免在驱动负载时负载从芯片电源吸取电流_资讯

超玮微电子取得驱动芯片半导体结构专利，能够避免在驱动负载时负载从芯片电源吸取电流

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2026-07-25 14:27:50

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国家知识产权局信息显示，北京超玮微电子有限公司取得一项名为“一种驱动芯片的半导体结构”的专利，授权公告号CN224556267U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体芯片技术领域，特别是涉及一种驱动芯片的半导体结构。所述驱动芯片的半导体结构包括：衬底，至少一个第一类隔离层，所述第一类隔离层形成在所述衬底上，所述第一隔离层上形成有至少一个体区；其中一个体区上形成有用于驱动外部负载的主功率管器件；其中，所述第一类隔离层被配置为悬空状态或被配置为高阻态。本申请的驱动芯片的半导体结构，能够避免在驱动负载时负载从芯片电源吸取电流。

天眼查资料显示，北京超玮微电子有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，北京超玮微电子有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资驱动隔离芯片超玮导体微电子专利负载半导体衬底体区隔离层

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