国家知识产权局信息显示,无锡新仕嘉半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体LED发光结构”的专利,授权公告号CN224538662U,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本实用新型提供了一种半导体LED发光结构,涉及LED芯片技术领域,具体包括衬底层,衬底层的上方由下至上依次设置有N型半导体层、有源层、P型半导体层以及电极层,衬底层背离N型半导体层的一侧设置有界面粗化层,界面粗化层背离衬底层的一侧连接有散热基底。本申请通过阵列分布的微通道及填充的导热介质,增加了散热面积与热交换效率,同时能让导热介质更均匀地接触散热基底内部,快速将LED工作时产生的热量传递出去,避免局部过热导致的性能衰减,并通过界面粗化层设置在衬底层与散热基底之间,增加两者的接触面积,减少界面热阻,使衬底层传导的热量更高效地传递至散热基底,进一步增强结构的散热能力,延长LED器件的使用寿命。
天眼查资料显示,无锡新仕嘉半导体科技有限公司,成立于2019年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡新仕嘉半导体科技有限公司专利信息36条,此外企业还拥有行政许可7个。
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来源:市场资讯