芯电慧鑫申请碳化硅MOS器件制造方法专利，能够大幅度降低碳化硅与二氧化硅界面的陷阱密度_资讯

芯电慧鑫申请碳化硅MOS器件制造方法专利，能够大幅度降低碳化硅与二氧化硅界面的陷阱密度

创始人

2026-07-15 06:56:40

0次

国家知识产权局信息显示，四川芯电慧鑫科技有限公司申请一项名为“碳化硅MOS器件的制造方法及器件”的专利，公开号CN122395979A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅MOS器件的制造方法及器件，包括如下步骤：提供具有N型碳化硅外延层的碳化硅衬底；在所述N型碳化硅外延层中形成P型沟道区；对所述P型沟道区执行氮离子注入；执行高温退火步骤，以激活注入的氮原子；在所述P型沟道区上形成栅氧化层，形成栅电极；在所述P型沟道区内、于所述栅电极两侧形成源区和漏区。通过在氧化前预先在碳化硅表层晶格中引入被激活的氮原子，使其在后续热氧化过程中主动参与界面反应，从根本上抑制了碳相关缺陷的生成，相比于现有技术的“事后钝化”方法，效果更本质、更彻底、“源头抑制”碳缺陷和氮原子本身对残余缺陷的“钝化”双重作用，能够大幅度降低碳化硅与二氧化硅界面的陷阱密度。

天眼查资料显示，四川芯电慧鑫科技有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本800万人民币。通过天眼查大数据分析，四川芯电慧鑫科技有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造科技器件四川界面陷阱原子碳化硅专利二氧化硅慧鑫氮原子沟道区

上一篇：晶澳申请光伏组件及光伏电站专利，能够提升输出电流和发电量

下一篇：环球电器取得防漏电电源接线盒专利，实现对电源线的整理使接线盒外壳里的电源线摆放整齐

芯电慧鑫申请碳化硅MOS器件制造方法专利，能够大幅度降低碳化硅与二氧化硅界面的陷阱密度

相关内容

热门资讯