国家知识产权局信息显示,南通百科芯电子科技有限公司申请一项名为“一种功率二极管的封装形式及其封装工艺”的专利,公开号CN122396352A,申请日期为2026年4月。
专利摘要显示,本发明涉及一种功率二极管的封装形式及其封装工艺,功率二极管包括上框架、下框架、芯片及超薄封装层,所述下框架包括下引脚及下电极区,上框架包括上引脚、高于上引脚的上电极区及连接上引脚与上电极区的衔接区,芯片焊接在上电极区与下电极区之间,所述超薄封装层设置在芯片的四周侧面或同时设置在芯片的四周侧面以及上电极区表面,所述超薄封装层、上电极区、芯片及下电极区共同形成封装体,所述衔接区位于封装体外。本发明的优点在于:通过将衔接区设计在封装体外,使得衔接区具备一定的应力释放的能力,从而可以降低封装层的厚度,也就降低了功率二极管的尺寸,满足电子元件向片式、小型化发展的趋势。
天眼查资料显示,南通百科芯电子科技有限公司,成立于2017年,位于南通市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析,南通百科芯电子科技有限公司专利信息4条,此外企业还拥有行政许可2个。
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来源:市场资讯