上海印芯电子申请宽禁带光电二极管阵列及高压光敏二极管阵列结构专利，大幅减少了阵列中串联的单元数量_资讯

上海印芯电子申请宽禁带光电二极管阵列及高压光敏二极管阵列结构专利，大幅减少了阵列中串联的单元数量

创始人

2026-07-11 23:00:08

0次

国家知识产权局信息显示，上海印芯电子科技有限公司申请一项名为“一种宽禁带光电二极管阵列及高压光敏二极管阵列结构”的专利，公开号CN122373496A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种宽禁带光电二极管阵列及高压光敏二极管阵列结构，涉及光电二极管技术领域，包括绝缘透光基板以及形成于所述绝缘透光基板上的若干光电二极管单元，各所述光电二极管单元包括宽禁带有源层以及形成于所述宽禁带有源层上的正负极，各所述光电二极管单元的正负极依次串联形成阵列结构。有益效果是光电二极管单元采用宽禁带有源层，依托宽禁带材料的本征特性，单个光电二极管单元可产生远高于传统硅基器件的光生电压，仅需少数几个光电二极管单元串联即可获得满足高压应用需求的光生电压，大幅减少了阵列中串联的单元数量，简化了光电二极管阵列的整体结构设计；有效提升了整个阵列的光电转换效率与电流输出能力。

天眼查资料显示，上海印芯电子科技有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本337.5万人民币。通过天眼查大数据分析，上海印芯电子科技有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

阵列高压投资单元印芯电子减少了结构专利二极管光电源层

上一篇：金牌家居获得发明专利授权：“一种方便收纳的嵌入式数字力量健身柜”

下一篇：武汉摩尔机械申请双晶体管存储器专利，有效提升双晶体管存储器的器件密度

上海印芯电子申请宽禁带光电二极管阵列及高压光敏二极管阵列结构专利，大幅减少了阵列中串联的单元数量

相关内容

热门资讯