乾照半导体取得发光二极管外延结构专利，提高发光外延层晶体生长质量_资讯

乾照半导体取得发光二极管外延结构专利，提高发光外延层晶体生长质量

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2026-07-07 18:24:55

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国家知识产权局信息显示，江西乾照半导体科技有限公司取得一项名为“一种发光二极管的外延结构”的专利，授权公告号CN224473674U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请提供了一种发光二极管的外延结构，涉及半导体器件技术领域。外延结构包括依次叠加的衬底、第一腐蚀过渡层、腐蚀截止层、第二腐蚀过渡层和发光外延层，第一腐蚀过渡层与衬底之间的晶格失配度，小于腐蚀截止层与衬底之间的晶格失配度；第二腐蚀过渡层与发光外延层之间的晶格失配度，小于腐蚀截止层与发光外延层之间的晶格失配度。在腐蚀截止层的两侧分别插入与衬底的晶格失配度较小的第一腐蚀过渡层，及与发光外延层的晶格失配度较小的第二腐蚀过渡层，使得腐蚀复合层与衬底和发光外延层之间的晶格匹配度高，提高了发光外延层的晶体生长质量，改善了发光外延层的表面出现的白边问题，提高了后续制备的发光二极管的性能及良率。

天眼查资料显示，江西乾照半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

乾照企业显示投资外延过渡导体江西结构专利过渡层截止层衬底失配度晶格

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