新存科技申请相变存储器阵列的初始化方法和相变存储器专利，实现了相变存储器阵列阈值电压一致性的高效提升_资讯

新存科技申请相变存储器阵列的初始化方法和相变存储器专利，实现了相变存储器阵列阈值电压一致性的高效提升

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2026-07-06 05:44:00

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器阵列的初始化方法和相变存储器”的专利，公开号CN122157727A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种相变存储器阵列的初始化方法和相变存储器，属于半导体技术领域，所述方法包括获取所述相变存储器阵列的不同区域的存储单元的初始阈值电压，并计算初始阈值电压的最大值与最小值的差值；在所述差值不超过预设阈值的情况下，为所述相变存储器阵列配置初始化操作参数；在所述差值超过所述预设阈值的情况下，将所述相变存储器阵列划分为多个区域，并针对不同区域配置不同的初始化操作参数；根据所配置的初始化操作参数，对所述相变存储器阵列执行初始化操作。本申请通过配置初始化操作参数，实现了相变存储器阵列阈值电压一致性的高效提升与初始化时间的大幅缩短。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1837.8385万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，专利信息230条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技阵列投资操作参数一致性存储器专利阈值新存科技电压

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