长江存储申请半导体器件编程方法专利，使多个存储单元的阈值电压形成与多个编程状态对应的多个初始阈值电压分布_资讯

长江存储申请半导体器件编程方法专利，使多个存储单元的阈值电压形成与多个编程状态对应的多个初始阈值电压分布

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2026-07-05 04:38:48

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其编程方法、存储器系统”的专利，公开号CN122337279A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开提供了半导体器件及其编程方法、存储器系统。半导体器件包括存储单元阵列、与存储单元阵列耦接的字线、以及与字线耦接的外围电路，其中，外围电路被配置为：对与选择字线耦接的多个存储单元执行编程操作，以使多个存储单元的阈值电压形成与多个编程状态对应的多个初始阈值电压分布；其中，形成同一个初始阈值电压分布的存储单元构成一个子集；对多个存储单元执行再编程操作，再编程操作包括：分别对每个子集的存储单元进行验证，以在每个子集中选择出阈值电压处于子集对应的初始阈值电压分布中预定区域内的存储单元；对每个子集中被选择出的存储单元施加对应的一个或多个预设编程脉冲。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1452次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6122条，此外企业还拥有行政许可1009个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示科技字线投资编程存储子集专利单元阈值电压

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