润新微电子申请耗尽型氮化镓芯片及其制备方法专利，工艺简化_资讯

润新微电子申请耗尽型氮化镓芯片及其制备方法专利，工艺简化

创始人

2026-07-04 14:46:51

0次

国家知识产权局信息显示，润新微电子（大连）有限公司申请一项名为“一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122340839A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，公开了一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在衬底上生长叠层结构后在其顶面先生长第一介质层，并经湿法刻蚀形成第一台阶；再在第一台阶上生长第二介质层，并经湿法刻蚀形成第二台阶和单侧栅槽，再经干法刻蚀形成第三台阶，单侧栅槽靠近第二台阶远离第三台阶的一端；由叠层结构顶面向下刻蚀形成源电极欧姆孔和漏电极欧姆孔并对晶圆进行第一次退火，生长底部金属和顶部金属，并经干法刻蚀形成源电极欧姆金属、漏电极欧姆金属、栅电极与第一场板单元，再对晶圆进行第二次退火；最后生长第三介质层，并形成源电极和漏电极。本发明的耗尽型氮化镓芯片的制备方法，工艺简化，得到的芯片的平坦度更好。

天眼查资料显示，润新微电子（大连）有限公司，成立于2016年，位于大连市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13097.1707万人民币。通过天眼查大数据分析，润新微电子（大连）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可18个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法电极投资介质芯片台阶大连微电子专利氮化镓介质层

上一篇：苏州由派克取得防静电电子元件吸塑托盘专利，避免在运输过程中电子元件从放置槽内掉落出来

下一篇：群创光电申请电子装置专利，反射式面板在反射态下用于反射可见光

润新微电子申请耗尽型氮化镓芯片及其制备方法专利，工艺简化

相关内容

热门资讯