京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利,提升出光效果
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2026-06-20 12:46:39
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国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(广东)有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN122248856A,申请日期为2026年3月。

专利摘要显示,本公开提供了一种发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该制备方法包括:提供外延片和驱动基板,所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层和外延层;将所述外延层的远离所述衬底的一侧与所述驱动基板键合,并去除所述衬底;湿法腐蚀所述缓冲层,以粗化所述缓冲层的远离所述驱动基板的表面;以所述缓冲层为掩膜进行刻蚀,使所述外延层的远离所述驱动基板的表面形成粗化面。本公开实施例能在外延层上形成粗化面,且不会因湿法腐蚀而损坏外延层,以提升出光效果。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(广东)有限公司,成立于2022年,位于珠海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(广东)有限公司参与招投标项目31次,专利信息147条,此外企业还拥有行政许可111个。

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来源:市场资讯

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