南智先进光电申请高带宽、低电压薄膜铌酸锂电光调制器专利，解决现有技术中难以兼顾高带宽与低驱动电压问题_资讯

南智先进光电申请高带宽、低电压薄膜铌酸锂电光调制器专利，解决现有技术中难以兼顾高带宽与低驱动电压问题

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2026-06-20 01:25:25

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国家知识产权局信息显示，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司申请一项名为“高带宽、低电压薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法”的专利，公开号CN122239314A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明属于电光调制器技术领域，具体涉及高带宽、低电压薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法，包括：硅衬底；二氧化硅掩埋层，位于硅衬底上方；薄膜铌酸锂层，位于二氧化硅掩埋层上方，薄膜铌酸锂层中形成脊形光波导；T型行波电极，设置于薄膜铌酸锂层上方，包括信号电极和至少一个地电极，信号电极与地电极之间形成有至少一个挖空区域；以及，高介电常数材料层，选择性地仅设置于挖空区域内，挖空区域以外的电极间隙区域为空气或介电常数低于10的低介电常数介质。由此，解决现有技术中难以兼顾高带宽与低驱动电压，传统两种技术路线各有短板且无法兼容等问题。

天眼查资料显示，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1310.6316万人民币。通过天眼查大数据分析，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息131条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电极调制器技术投资薄膜南智低电压带宽专利锂层锂电光铌酸

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