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敏芯微电子申请MEMS传感器的形成方法和MEMS传感器专利，提高了传感器信号传输的稳定性

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2026-05-18 17:59:21

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国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“MEMS传感器的形成方法和MEMS传感器”的专利，公开号CN122035778A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请实施例提供MEMS传感器的形成方法和MEMS传感器，其中形成方法包括提供第一晶圆，第一晶圆具有第一面和第二面；在第一面上开设至少一个通孔，并在第一面和通孔的内壁上形成第一绝缘层；形成包括布线层和导电部的多晶硅层，导电部填充通孔，布线层覆盖第一绝缘层和导电部；在布线层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成包括敏感结构和信号传输结构的器件层，敏感结构和信号传输结构均与布线层电连接；将器件层背离第一面的一侧与第二晶圆键合；在第二面侧去除部分第一晶圆，以露出位于通孔中的导电部；形成至少一个信号引出结构，其与对应的导电部电连接。本申请提高了传感器信号传输的稳定性和产品一致性，并降低了制造成本。

天眼查资料显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本5602.3107万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州敏芯微电子技术股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息512条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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