国家知识产权局信息显示,半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“处理衬底的方法”的专利,公开号CN122054715A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,一种处理衬底的方法的具体实施可包括:提供半导体衬底;在该半导体衬底的周边处去除该半导体衬底的预定厚度的材料;以及将粘合剂施加到该半导体衬底的最大平坦表面。该方法可包括:在该半导体衬底的该周边处施加密封材料,以及使用该粘合剂和该密封材料将光学透射衬底键合到该半导体衬底。
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