每经编辑：叶峰

TrendForce集邦咨询发布的二季度价格预测——2026年二季度一般型DRAM合约价将环比上涨58%~63%，NAND闪存合约价将环比上涨70%~75%。这两个数字在过去十几年的存储行业周期中，从未在单季度内出现过。

与过去由消费电子库存拉动的存储周期不同，这一轮涨价从根源上就与AI算力建设的持续扩张挂钩。英伟达、各大云厂商为保障AI数据中心建设落地，提前锁定了大量存储产能，挤压了市场流通的通用型存储芯片份额，导致现货紧缺和合约价持续攀升。中信证券研究认为，供不应求的局面预计将持续至2027年，这意味着涨价红利不是一个季度的脉冲，而是有结构性支撑的持续过程。

同一时期，国产存储产业链也迎来了自身的结构性机遇。全球第四大DRAM原厂长鑫科技IPO募投计划显示，2026年-2027年将分批完成设备搬入，DRAM技术升级项目设备投资规模达174亿元。国内存储原厂的大规模产能建设，在给国产设备、材料企业带来订单增量的同时，也在推动国产存储从“可用”加速迈向“好用”。这条国产替代路径的长期价值，叠加全球存储超级周期的短期景气，在芯片产业赛道上形成了难得的双重逻辑共振。

在存储涨价驱动、国产替代加速的产业共振窗口下，布局芯片产业全产业链的指数工具有望受益于这一系统性上行逻辑。天弘中证芯片产业ETF联接跟踪芯片产业指数，覆盖国内半导体设计、制造、设备、材料全产业链核心成分股。据2026年第1季度报告，天弘中证芯片产业ETF联接产品规模约9.89亿元。万得数据显示，天弘中证芯片产业ETF联接A类跟踪误差1.98%、C类1.97%，在同类产品中处于较低水平。

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风险提示：观点仅供参考，不构成投资建议。基金过往业绩不代表未来表现。投资者在购买基金前应仔细阅读基金法律文件，充分考虑自身的风险承受能力，在了解产品情况及销售适当性意见的基础上理性决策。基金有风险，投资需谨慎。

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