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敏芯微电子申请MEMS传感器形成方法专利，提高MEMS传感器的检测精度和稳定性

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2026-05-16 00:38:27

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国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“一种MEMS传感器的形成方法和MEMS传感器”的专利，公开号CN122035779A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种MEMS传感器的形成方法和MEMS传感器，形成方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆上形成第一绝缘层；提供器件晶圆，并将其与第一绝缘层键合；形成贯通器件晶圆，延伸入第一晶圆内的通孔；在通孔内填充多晶硅，以形成电连接结构；在器件晶圆上形成彼此独立的敏感结构和信号传输结构，通孔的投影位于信号传输结构的投影范围内；提供第二晶圆；将敏感结构和信号传输结构与第二晶圆键合；在第二面所在侧去除部分第一晶圆，以在第二面露出位于通孔内的电连接结构；在第二面上形成至少一个信号引出结构。本申请既能提高MEMS传感器的检测精度和稳定性，又能降低MEMS传感器的制造成本，有利于批量生产。

天眼查资料显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本5602.3107万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州敏芯微电子技术股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息510条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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