铨力微电子申请基于多项式回归算法的半导体参数化建模方法专利，有效提升了半导体器件建模的效率与精度_资讯

铨力微电子申请基于多项式回归算法的半导体参数化建模方法专利，有效提升了半导体器件建模的效率与精度

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2026-05-10 02:18:11

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国家知识产权局信息显示，铨力微电子（无锡）有限公司;大连理工大学申请一项名为“基于多项式回归算法的半导体参数化建模方法”的专利，公开号CN121997717A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提出基于多项式回归算法的半导体参数化建模方法，属于半导体建模技术领域，针对传统TCAD拟合计算量大及机器学习数据需求高的问题，该方法利用少量TCAD仿真数据构建代理模型，结合PDK确切参数与经验值实现全局快速寻优。以FinFET器件为例，该方案不仅在‑40℃至120℃宽温域内实现了与实测数据一致的高精度拟合，更具备优异的极低温特性预测能力。该方法通过代理模型寻优与参数敏感性分析的协同，在显著降低算力成本与样本采集工作量的同时，有效提升了半导体器件建模的效率与精度。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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