国家知识产权局信息显示,铨力微电子(无锡)有限公司;大连理工大学申请一项名为“基于多项式回归算法的半导体参数化建模方法”的专利,公开号CN121997717A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明提出基于多项式回归算法的半导体参数化建模方法,属于半导体建模技术领域,针对传统TCAD拟合计算量大及机器学习数据需求高的问题,该方法利用少量TCAD仿真数据构建代理模型,结合PDK确切参数与经验值实现全局快速寻优。以FinFET器件为例,该方案不仅在‑40℃至120℃宽温域内实现了与实测数据一致的高精度拟合,更具备优异的极低温特性预测能力。该方法通过代理模型寻优与参数敏感性分析的协同,在显著降低算力成本与样本采集工作量的同时,有效提升了半导体器件建模的效率与精度。
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来源:市场资讯