富乐德申请CVD-SiC聚焦环制备方法专利，可满足半导体刻蚀设备的使用需求
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2026-05-10 02:17:58
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国家知识产权局信息显示，浙江富乐德半导体材料科技有限公司申请一项名为“一种CVD-SiC聚焦环的制备方法及其应用”的专利，公开号CN121992369A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及陶瓷材料领域，公开了一种CVD‑SiC聚焦环的制备方法及其应用。该制备方法包括：1）将石墨环置于CVD炉中，在通氢气条件下升温至1050‑1150℃；2）通入HCl和氢气对石墨环进行表面清洗；3）升温至1250‑1300℃，保温后通入包括5‑9vol%三氯甲基硅烷，86‑91vol%氢气和2‑6vol%HCl的工艺气体进行反应，得到表面镀有CVD‑SiC层的石墨环；4）机械加工、抛光、洗净，得到CVD‑SiC聚焦环。本发明采用CVD方法制得的CVD‑SiC聚焦环，兼具高纯度、高致密度，高热导率的特点，可满足半导体刻蚀设备的使用需求。
天眼查资料显示，浙江富乐德半导体材料科技有限公司，成立于2022年，位于衢州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本39000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江富乐德半导体材料科技有限公司参与招投标项目15次，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可13个。
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