长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，有助于减小字线电阻_资讯

长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，有助于减小字线电阻

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2026-05-09 10:41:46

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、电子设备”的专利，公开号CN122002791A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与所述有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与所述有源柱耦接，其中，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；其中，所述字线包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案具有沿所述第一水平方向交替排布的第一开口和第二开口，所述有源柱位于所述第一开口中，所述第二导电图案位于所述第二开口中，所述第二导电图案的电阻率小于所述第一导电图案的电阻率。该半导体结构有助于减小字线电阻，改善器件性能。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息276条，专利信息653条，此外企业还拥有行政许可39个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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