快科技5月8日消息，据媒体报道，国产AI芯片企业寒序科技（ICY Tech）宣布，联合三星生态设计伙伴SEMIFIVE，基于三星8nm eMRAM工艺成功完成边缘AI芯片流片。

这是亚洲首个8nm嵌入式MRAM（eMRAM）商业化部署案例，由寒序科技主导底层核心技术研发，标志着国产AI芯片在先进存储与存算架构领域实现重大突破。

作为项目的核心技术提供方，寒序科技凭借在MRAM定制开发与存算架构方面的深厚积累，成功进入三星稀缺的8nm eMRAM工艺窗口。

与常规ASIC项目不同，寒序全程主导了MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出电路以及大模型推理算子加速等底层方案设计；SEMIFIVE则负责后端硅实现与MPW流片支持。

双方形成了“底层架构自研+国际生态落地”的独特合作模式，彻底摆脱了标准IP调用的局限。

在技术层面，寒序科技创新性地采用了“MRAM+SRAM”混合存储架构，直击传统AI芯片面临的“内存墙”痛点。

该方案用eMRAM替代大规模片上SRAM，有效解决了工艺微缩后SRAM面积效率低、功耗高的问题；同时结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算，加速Transformer推理中的关键算子。

该芯片可支持20亿参数大模型的端侧运行，性能对标国际顶尖推理芯片路线，并在存储密度与能效比上实现超越。

该芯片主要聚焦私有AI Agent、人形机器人等端侧场景，同时可适配具身智能与云端推理中心，作为GPU/HBM体系之外的高能效推理加速模块。

eMRAM兼具非易失、高带宽、低功耗等特性，无需刷新即可长期保存数据，单元尺寸远小于SRAM，特别适用于功耗与空间受限的边缘设备，为国产端侧AI应用提供了核心算力支撑。

此次流片成功，是寒序科技依托北京大学物理学院应用磁学中心的技术积淀，在自旋电子学与存算一体领域取得的重要成果。