杰平方半导体申请新型高维持电压SCR结构专利，降低了SCR器件的触发电压_资讯

杰平方半导体申请新型高维持电压SCR结构专利，降低了SCR器件的触发电压

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2026-05-06 11:31:44

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国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法”的专利，公开号CN121985588A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法，属于半导体集成电路技术领域，该新型高维持电压SCR结构，包括第一导电类型衬底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型衬底中，第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区；沟槽，横跨第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的交界处；第一导电类型侧壁齐纳注入区，设置在沟槽与所述第一导电类型阱区相接的一侧，并延伸至沟槽的底部；第二导电类型侧壁区，设置在所述沟槽与所述第二导电类型阱区相接的一侧，并延伸至沟槽的底部与第一导电类型侧壁齐纳注入区相接。通过引入新的电流触发路径，使得载流子沿着沟槽壁运输，将载流子输运路径由器件转变为器件内部，降低了SCR器件的触发电压。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业导电投资沟槽器件半导体电压结构专利类型杰平方阱区

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