京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，减低发光二极管的亮度
创始人
2026-05-06 06:44:40
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121968824A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、连接电极、第一电极和第二电极；外延结构包括台阶结构，台阶结构包括台阶顶面和台阶底面，台阶顶面为外延结构的出光面；连接电极位于台阶顶面，第一电极位于连接电极的远离所述台阶顶面的一侧，第一电极在外延结构表面的投影，位于连接电极在外延结构表面的投影内，第二电极位于台阶底面，连接电极和第一电极可以吸收外延结构发出的光线，从而减低发光二极管的亮度。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1037条，此外企业还拥有行政许可42个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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