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粤芯半导体申请薄膜电阻制备方法专利，有效改善薄膜电阻的均匀性

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2026-04-23 00:42:41

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国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN121843227A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供了一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质，包括：对已完成铜互连工艺的晶圆进行化学机械抛光；对经过化学机械抛光的晶圆进行介电材料层沉积，形成介电材料层；在介电材料层上加工形成防形变介质层；在防形变介质层上进行薄膜电阻加工，形成薄膜电阻。通过在制备薄膜电阻之前在晶圆表面加工一防形变介质层，填补化学机械抛光形成的凹陷和凸起，避免后续薄膜电阻发生变形，有效的改善薄膜电阻的均匀性。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目130次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可129个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资介质电阻薄膜电子设备导体形变专利加工防形介质层晶圆

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