国家知识产权局信息显示,岑科科技(深圳)集团有限公司申请一项名为“一种低损耗电感器及其制造方法”的专利,公开号CN121885359A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开了一种低损耗电感器及其制造方法,包括磁芯及缠绕在磁芯上用于实现电流传导的铜线,所述铜线的两端在磁芯外侧的折角处形成折角电极,所述铜线表面涂覆有用于实现绝缘保护的漆膜,所述磁芯及铜线上设置有用于绝缘与防护的油墨层。本发明通过采用3~6μm镍铁合金(FeNi)粉与纳米晶种材料按4:6质量比混合+环氧胶水包覆的低损耗配方粉制备磁芯,替代传统FeSiCr、羰基铁粉等磁性材料,同时搭配铜导线本体镀2‑5μm银层+聚氨酯/聚酯亚胺漆膜的镀银漆包铜线,既降低磁芯的磁滞损耗与气隙损耗,又减小铜线的串联电阻(Rs),最终使电感器的体积损耗(Pcv)相比传统一体成型电感降低20%~60%,适配AI、HPC等场景高功率密度硬件对电源管理低损耗的需求。
天眼查资料显示,岑科科技(深圳)集团有限公司,成立于2001年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12094.9244万人民币。通过天眼查大数据分析,岑科科技(深圳)集团有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息3条,专利信息185条,此外企业还拥有行政许可23个。
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