威电科技申请低导通电阻高功率开关专利，为晶体管的源极提供到源电极的电连接
创始人
2026-04-13 21:20:38
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国家知识产权局信息显示，威电科技有限公司申请一项名为“低导通电阻高功率开关”的专利，公开号CN121844752A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种电功率开关，功率开关包括：横向场效应(LFET)晶体管的行和列的阵列，每个晶体管具有源极、漏极和栅极；多个内部互连层，多个内部互连层包括被配置为连接晶体管以并联操作的金属化物；源电极和漏电极，用于分别将晶体管的源极和漏极连接到外部电路；以及桥接互连层，该桥接互连层包括：多个波状源极桥接导体，该波状源极桥接导体为晶体管的源极提供到源电极的电连接；以及多个波状漏极桥接导体，其为晶体管的漏极提供到漏电极的电连接。
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