威电科技申请低导通电阻高功率开关专利,为晶体管的源极提供到源电极的电连接
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2026-04-13 21:20:38
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国家知识产权局信息显示,威电科技有限公司申请一项名为“低导通电阻高功率开关”的专利,公开号CN121844752A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,一种电功率开关,功率开关包括:横向场效应(LFET)晶体管的行和列的阵列,每个晶体管具有源极、漏极和栅极;多个内部互连层,多个内部互连层包括被配置为连接晶体管以并联操作的金属化物;源电极和漏电极,用于分别将晶体管的源极和漏极连接到外部电路;以及桥接互连层,该桥接互连层包括:多个波状源极桥接导体,该波状源极桥接导体为晶体管的源极提供到源电极的电连接;以及多个波状漏极桥接导体,其为晶体管的漏极提供到漏电极的电连接。

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来源:市场资讯

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