芯联微电子申请半导体清洗方法专利，提高晶圆表面的清洁度_资讯

芯联微电子申请半导体清洗方法专利，提高晶圆表面的清洁度

创始人

2026-04-04 22:56:33

0次

国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种半导体清洗方法”的专利，公开号CN121793673A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，一种半导体清洗方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有去膜后残留的第一污染物；步骤S2：采用驻极体装置对半导体衬底进行预处理，去除第一污染物；步骤S3：通过RCA标准清洗法对半导体衬底进行湿法清洗；步骤S4：干燥半导体衬底。本申请利用驻极体长久存储电荷的静电吸附原理，去除半导体衬底表面去膜后残留的污染物，再使用RCA标准清洗法进行湿法清洗，提高晶圆表面的清洁度，减少化学品的使用，降低生产成本，提高产品良率。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示清洁度进行步骤投资重庆导体微电子专利标准清洗法芯联微半导体衬底极体

上一篇：苏州施密科微电子申请双槽结构晶圆表面清洗设备专利，清洗效果更加

下一篇：勤胜电子申请天线模组及通信设备专利，降低天线模组的成本

芯联微电子申请半导体清洗方法专利，提高晶圆表面的清洁度

相关内容

热门资讯