鑫研半导体申请低导通电阻屏蔽栅沟槽MOSFET故障诊断方法及系统专利，解决测试系统误判器件导通电阻异常升高问题_资讯

鑫研半导体申请低导通电阻屏蔽栅沟槽MOSFET故障诊断方法及系统专利，解决测试系统误判器件导通电阻异常升高问题

创始人

2026-04-04 22:54:13

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市鑫研半导体有限公司申请一项名为“一种低导通电阻屏蔽栅沟槽MOSFET故障诊断方法及系统”的专利，公开号CN121784503A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供的一种低导通电阻屏蔽栅沟槽MOSFET故障诊断方法及系统，涉及MOSFET故障诊断技术领域，通过在测量MOSFET稳态导通电阻之前，向探针与晶圆焊盘的接触界面以及MOSFET施加预先设定的瞬态电学激励；根据获取的接触界面和MOSFET在每种瞬态电学激励作用下的电学响应信息，构建瞬态特征向量；依据预设的针对接触部件异常的判别规则和针对器件结构缺陷的判别规则，对瞬态特征向量进行分析，以确定异常来源是接触部件异常还是器件结构缺陷；根据确定的异常来源，对测量得到的导通电阻值进行调整，解决了因探针针尖微观几何形状改变导致的接触电阻瞬时波动，从而使测试系统误判器件导通电阻异常升高问题。

天眼查资料显示，深圳市鑫研半导体有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本610.357583万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鑫研半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

沟槽信息器件误判测试深圳市电阻系统导体专利阻屏蔽栅瞬态

上一篇：英特尔申请用于高带宽存储器通道的DIMM专利，将写入数据多路复用到不同组的存储器芯片

下一篇：CAFAM讲座回顾 | 恩里克・托马斯：田进勤的电子乐器

鑫研半导体申请低导通电阻屏蔽栅沟槽MOSFET故障诊断方法及系统专利，解决测试系统误判器件导通电阻异常升高问题

相关内容

热门资讯