普加福申请量子点发光二极管器件及其制备方法专利,解决了电荷注入的平衡问题
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2026-04-04 18:58:37
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国家知识产权局信息显示,广东普加福光电科技有限公司;闽都创新实验室申请一项名为“一种量子点发光二极管器件及其制备方法”的专利,公开号CN121793581A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法。该量子点发光二极管器件,包括依次层叠设置的空穴传输层、量子点发光层和电子传输层,在电子传输层与量子点发光层之间还设置有独立的多巯基界面层;多巯基界面层由多巯基化合物构成,多巯基化合物为不含烯基聚合单体的有机小分子;多巯基界面层通过多巯基化合物中的巯基与电子传输层表面的金属离子形成金属‑硫键进行配位,同时通过其余巯基与量子点发光层底部的量子点表面进行配位,形成双向界面钝化结构。本发明在量子点发光二极管器件中增加了多巯基界面层,该多巯基界面层在电子传输层/量子点层界面形成缓冲层,调节电子和空穴的注入平衡,抑制过多电子注入,解决了电荷注入的平衡问题。

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来源:市场资讯

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